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BSC084P03NS3E G詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：14.9A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.4 毫歐 @ 50A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 110µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：57.7nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4240pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerTDFN; 供應商設備封裝：PG-TDSON-8; 包裝：剪切帶 (CT)

BSC084P03NS3E G詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：14.9A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.4 毫歐 @ 50A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 110µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：57.7nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4240pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerTDFN; 供應商設備封裝：PG-TDSON-8; 包裝：Digi-Reel®

BSC084P03NS3E G詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：14.9A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.4 毫歐 @ 50A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 110µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：57.7nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4240pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerTDFN; 供應商設備封裝：PG-TDSON-8; 包裝：帶卷 (TR)

BSC084P03NS3E G供應商

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